分立式EDT2 IGBT在100°C時的額定電流分別為120 A和200 A，且正向電壓都非常低，因此與上一代產(chǎn)品相比，傳導(dǎo)損耗降低了13%。該AIKQ200N75CP2的額定電流為200 A，且是采用TO247Plus封裝的最佳分立IGBT。因此，定義的目標功率等級需要更少的并聯(lián)設(shè)備。此外，功率密度增加，系統(tǒng)成本也隨之降低。

此外，EDT2 IGBT系列的參數(shù)分布極窄。典型值和最大值之間的集電極-發(fā)射極飽和電壓（V ce（sat））差值小于200 mV，柵極閾值電壓（V GEth）差值小于750 mV。此外，熱系數(shù)為正。總之，上述參數(shù)可實現(xiàn)輕松的并行操作，并為最終設(shè)計提供系統(tǒng)靈活性和功率可擴展性。此外，新IGBT系列可提供平滑的開關(guān)性能、低柵極電荷（Q G）和175°C的高結(jié)溫（T vjop）。