日前，由紅旗研發(fā)總院新能源開(kāi)發(fā)院功率電子開(kāi)發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。標(biāo)志著紅旗研發(fā)已初步建立支撐高性能電動(dòng)汽車開(kāi)發(fā)的碳化硅功率芯片設(shè)計(jì)能力，并成功將半導(dǎo)體行業(yè)的Fabless（無(wú)晶圓廠）合作模式引入汽車產(chǎn)品開(kāi)發(fā)實(shí)踐。

介紹，該款碳化硅功率芯片從產(chǎn)品核心指標(biāo)定義、襯底與外延材料選擇、元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、動(dòng)靜態(tài)性能仿真、工藝仿真、版圖設(shè)計(jì)、晶圓流片到晶圓封測(cè)，實(shí)現(xiàn)全鏈條主導(dǎo)開(kāi)發(fā)，標(biāo)志著紅旗車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片開(kāi)發(fā)能力大幅提升。 該款芯片聚焦整車電驅(qū)動(dòng)、智慧補(bǔ)能、車載電源、高壓配電、電動(dòng)化底盤等系統(tǒng)應(yīng)用需求，創(chuàng)新采用低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu)、高元胞密度版圖、高可靠性終端結(jié)構(gòu)及片上柵極電阻集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)擊穿電壓超過(guò)1200V，導(dǎo)通電阻小于15mΩ。