從技術(shù)角度來看，功率模塊封裝技術(shù)不僅僅是關(guān)于引線鍵合、焊接和封裝；汽車領(lǐng)域的封裝技術(shù)，在功率密度、性能和可靠性有很強(qiáng)的要求是比較復(fù)雜的，需要特定的專有技術(shù)。

▲圖4.功率模塊的典型失效

Part 2

功率模塊的發(fā)展趨勢

從技術(shù)發(fā)展的趨勢來看，Yole和聯(lián)電的工程師分別給了一個技術(shù)發(fā)展趨勢，我的理解，是需要按照每家車企的選擇來做一個梳理，目前在單個企業(yè)的押注好像有些早。圍繞耐溫、可靠性、寄生電感、熱阻和成本這些要素，可以組合出很多的系統(tǒng)方案出來。

▲圖5.功率模塊的技術(shù)發(fā)展趨勢

▲圖6.聯(lián)電探討的功率模塊技術(shù)

隨著SiC模塊的發(fā)展，圍繞Tier1和芯片廠家的各自路線是可以探討的，之前沒有特別的關(guān)注，接下來要花時間把這些信息收集起來進(jìn)行歸檔和整理。

▲圖7.功率模塊的封裝

每家的技術(shù)路線和考量是不同的。以安森美為例，它的發(fā)展重點(diǎn)也會放在塑封壓鑄模塊上，也可以做直接水冷。壓鑄模塊跟凝膠模塊的差異，模塊功率密度可以更高，雜散電感可以更低，尤其是碳化硅可以接受的工作溫度更高，到200℃甚至以上。碳化硅的工作溫度可以是很高的。

同樣的系統(tǒng)價錢，用壓鑄模塊應(yīng)該可以做到更大潛力和差異化——安森美現(xiàn)在跟很多車廠討論，為他們做一些特別制造的主驅(qū)模塊。冷卻塑封模塊的特性，除了比較低的雜散電感和高功率密度之外，在擴(kuò)展性方面也相對比較好。安森美可以用三個半橋的模塊做成150kW的功率，也可以把它們兩個合在一起做成300kW，基本上占用的空間沒有太大差異。跟凝膠模塊相比，壓鑄模塊的生命周期是比較長的。在安森美雙面冷卻的模塊里，IGBT是一個智能芯片，主要內(nèi)置了兩個傳感器。一個是溫度傳感器（精準(zhǔn)的溫度檢測），另外一個是電流檢測也內(nèi)置在里面（總體反應(yīng)時間會比較快，能更好地去保護(hù)系統(tǒng)）。

▲圖8.安森美的技術(shù)路線

小結(jié)：在功率半導(dǎo)體的競爭中，國內(nèi)企業(yè)國產(chǎn)替代的空間是很大的，從未來的市場需求來看，供應(yīng)鏈安全的要求被放置在很高的位置。